RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link