RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link