RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3171
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link