RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3291
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link