RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1832
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link