RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1832
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link