RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3660
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link