RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1997
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link