RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2432
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link