RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3559
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link