RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3559
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link