RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3559
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link