RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3145
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link