RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2865
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link