RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1493
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link