RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2925
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link