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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
40
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
24
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2925
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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