RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2155
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link