RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2870
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link