RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
4084
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link