RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3085
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link