RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3309
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link