RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2062
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link