RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2062
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link