RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2266
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link