RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
68
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2007
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link