RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2414
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link