RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
81
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1651
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link