RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
55
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
55
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2701
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link