RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3147
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link