RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3046
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link