RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
26
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3681
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link