RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
26
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3681
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link