RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3564
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link