RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3692
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link