RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
27
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
25600
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3692
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link