RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3692
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link