RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
104
Autour de -285% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3692
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link