RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3692
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link