RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3087
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link