RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
68
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1924
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link