RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2426
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link