RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2426
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link