RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2426
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link