RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3525
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link