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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
18.4
写入速度,GB/s
6.0
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3525
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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