RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3648
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link