RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2336
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link