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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
14.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2481
2336
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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