RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2583
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link