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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
14.8
14.3
写入速度,GB/s
8.7
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2583
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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